Hozirgi vaqtda sanoat tomonidan joriy etilgan energiya tejovchi lampalar va elektron balastli maxsus tranzistorlar saqlash vaqtini nazorat qilishga katta e'tibor beradi. Saqlash vaqti ts juda uzoq bo'lgani uchun, kontaktlarning zanglashiga olib keladigan tebranish chastotasi pasayadi va butun mashinaning ish oqimining oshishi triodning shikastlanishiga osonlik bilan olib keladi. Chok bobini indüktansı va boshqa komponent parametrlari butun mashinaning quvvatini boshqarish uchun sozlanishi mumkin bo'lsa-da, diskret tabiat mahsulotning mustahkamligini yomonlashtiradi va ishonchlilikni pasaytiradi. Misol uchun, kvarts chiroqli elektron transformator sxemasida saqlash muddati juda uzoq bo'lgan tranzistor zanjirning chiqish transformatorining ish chegarasidan past chastotada tebranishiga olib kelishi mumkin, bu esa har bir davr oxirida yadroning to'yinganligiga olib keladi. , bu tranzistor Ic ning har bir tsiklda paydo bo'lishiga olib keladi Spikes, va nihoyat, qurilmaning haddan tashqari qizishi va shikastlanishiga olib keladi.
Agar bir xil chiziqdagi ikkita tranzistorning saqlash muddati juda boshqacha bo'lsa, butun mashinaning ish oqimining yuqori va pastki yarim to'lqinlari jiddiy assimetrik bo'ladi, og'ir tranzistor osongina shikastlanadi va chiziq ham ko'proq harmonik va elektromagnit shovqinlarni hosil qiladi.
Amaliy foydalanish shuni ko'rsatadiki, saqlash vaqtini qat'iy nazorat qilish va to'liq sxemani to'g'ri sozlash hFE parametrlariga bog'liqlik darajasini kamaytirishi mumkin. Shuni ham ta'kidlash kerakki, ma'lum bir chip maydoni sharoitida triod xususiyatlari, oqim xususiyatlari va chidamli kuchlanish parametrlari bir-biriga ziddir. Xitoy bozori bir vaqtlar BUT11A ni 220V40W elektron balast sifatida ishlatgan. Boshlanish nuqtasi BVceo va BVcbo qiymatlari yuqori. Biroq, ko'pgina elektron balast davrlarida tranzistorlarning kuchlanish parametrlarini juda yuqori tanlash kerak emas.